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MJE340G中文资料

MJE340G图片

MJE340G外观图

  • 大小:67.6KB
  • 厂家:ON Semiconductor
  • 描述: TRANSISTOR, NPN, TO-126; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:300V; Current Ic Continuous a Max:0.5A; Voltage, Vce Sat Max:30V; Power Dissipation:20W; Min Hfe:30; Case Style:TO-126; Termination Type:Through Hole; Current Ic Max:0.5A; Current Ic hFE:0.05A; No. of Pins:3; Power, Ptot:20W; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No. of:1
  • 标准包装:500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):300V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):-
  • 电流 - 集电极截止(最大):-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):30 @ 50mA,10V
  • 功率 - 最大:20W
  • 频率 - 转换:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3
  • 供应商设备封装:TO225AA
  • 包装:散装
  • 其它名称:MJE340GOS

MJE340G供应商

更新时间:2023-02-01 00:07:14
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